Silicio nitrido keramikinis substratas elektronikai

Silicio nitrido keramikinis substratas elektronikai

Silicio nitrido keramikos substratas elektronikai yra specializuota keraminių medžiagų rūšis, naudojama įvairiose pramonės srityse, kur reikalingas didelis stiprumas, ilgaamžiškumas ir terminis stabilumas. Jis pagamintas iš silicio, azoto ir kitų elementų, suteikiančių unikalias mechanines, šilumines ir chemines savybes, derinio.

Si3N4 keraminis pagrindas pasižymi išskirtiniu mechaniniu stiprumu, todėl yra labai atsparus dilimui ir pažeidimams dėl smūgių ir suspaudimo. Jis taip pat yra labai atsparus šiluminiams smūgiams, gali atlaikyti greitus temperatūros pokyčius, nesutrūkinėdamas ir nesulaužydamas. Dėl to jis idealiai tinka naudoti aukštų temperatūrų pramonės šakose, tokiose kaip aviacija, automobilių inžinerija ir kitose srityse, kur būtinas šilumos išsklaidymas.

Be savo mechaninių ir šiluminių savybių, Si3N4 keraminis pagrindas taip pat pasižymi puikia elektros izoliacija ir atsparumu korozijai atšiaurioje aplinkoje. Dėl puikių šilumos išsklaidymo ir izoliacijos savybių jis naudojamas elektronikos ir puslaidininkių srityse, pavyzdžiui, galios moduliuose ir aukštos temperatūros elektronikoje.

Apskritai Si3N4 silicio nitrido keramikos substratas yra išskirtinė medžiaga, turinti daugybę pritaikymų. Dėl išskirtinio mechaninio stiprumo, terminio stabilumo, elektros izoliacijos ir cheminio atsparumo jis idealiai tinka įvairioms pramoninėms ir elektroninėms reikmėms, kur patikimumas ir efektyvumas yra svarbūs veiksniai.

Torbo® silicio nitrido keramikinis substratas elektronikai

Prekė: Silicio nitrido substratas

Medžiaga: Si3N4

Spalva: Pilka

Storis: 0,25-1mm

Paviršiaus apdorojimas: dvigubai poliruotas

Tūrinis tankis: 3,24g/㎤

Paviršiaus šiurkštumas Ra: 0,4μm

Lenkimo stipris: (3 taškų metodas): 600-1000Mpa

Tamprumo modulis: 310Gpa

Atsparumas lūžiams (IF metodas): 6,5 MPa･√m

Šilumos laidumas: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektrinių nuostolių koeficientas:0,4

Tūrio varža: 25°C >1014 Ω･㎝

Sugedimo stiprumas: DC >15 ㎸/㎜