Silicio nitrido plokštė ir jos gamybos būdas

Patento pavadinimas:Silicio nitrido substratasir jo gamybos metodas bei silicio nitrido plokštės ir puslaidininkinio modulio gamybos metodas naudojant silicio nitrido plokštę
Techninė sritis:
Šis išradimas apimaSilicio nitrido substratasir jo gamybos metodus. Be to, išradimas apima silicio nitrido grandinės substratų ir puslaidininkių modulių naudojimą, naudojant aukščiau nurodytusSilicio nitrido substratas.
Fono technika:
Pastaraisiais metais elektromobilių laukuose ir kitose srityse atsirado galios puslaidininkinis modulis (Power Semiconductor Module) (IGBT, galios MOSFET ir kt.), galintis dirbti su aukšta įtampa ir didele srove. Galios puslaidininkiniame modulyje naudojamam pagrindui vienas izoliacinio keraminio pagrindo paviršius gali būti sujungtas su metaline grandine, o keraminės grandinės substratas su metaline radiatoriaus plokšte ant kito paviršiaus. Be to, puslaidininkiniai elementai ant metalinės plokštės ir pan. Aukščiau minėtų izoliacinių keraminių pagrindų derinys su metalinėmis grandinių plokštėmis ir metaliniais aušintuvais, pvz., vadinamuoju vario pagrindu pagamintu variniu vario pagrindu vario pagrindu vario pagrindu vario pagrindu vario pagrindu yra tiesiogiai sujungtas į legalų. Tokiam galios puslaidininkiniam moduliui šilumos išsklaidymas yra didesnis, tekant didelėmis srovėmis. Tačiau, kadangi minėtas izoliacinis keraminis pagrindas yra žemas šilumos laidumo požiūriu, jis gali tapti veiksniu, kuris trukdo puslaidininkinių komponentų šilumos išsklaidyti. Be to, šiluminį įtampą sukelia šilumos plėtimosi greitis tarp izoliuojančio keraminio pagrindo ir metalinės plokštės bei metalinės šilumos kriauklės plokštės. Dėl to izoliacinis keraminis pagrindas įtrūksta ir sunaikinamas arba metalinė plokštė arba metalinė šiluma išsklaido Plokštė nuimama nuo izoliacinio keraminio pagrindo.